2018年11月13日、韓国・中央日報は「半導体分野で中国は韓国を超えられない」とする記事を掲載した。

韓国の半導体大手・SKハイニックスは12日、第2世代10ナノメートル級微細加工技術を応用した「8Gb DDR4 DRAM」を開発したと発表した。1回当たりの情報伝達量が従来の2倍で、現状で最高水準となっている。

一方、サムスン電子は昨年11月、すでに同レベル製品の量産をスタート。今年7月にはSKハイニックスと同様の技術を応用し、16Gbのスマートフォン用DRAMの量産を始めている。

記事はこうした背景を紹介した上で、「韓国の半導体企業は現在、中国のライバル他社の猛烈な追い上げに直面している。しかし、米商務省が先月、福建省の晋華集成電路公司に対し、輸出制限を課する制裁を発動。中国の追い上げは米中貿易摩擦の激化を受け、足踏みを余儀なくされている」とした。

韓国の半導体業界関係者は、「中国の技術は韓国より3～5年ほど遅れている」と話しているといい、記事は「米中対立が韓国に利する結果となりそうだ」と予想している。（翻訳・編集/大宮）