英科学誌ネイチャーは14日、中国の科学者による次世代光電子半導体製造分野の重要なブレークスルーを発表した。南京大学の張勇氏、肖敏氏、祝世寧氏が率いる科学研究チームは、新型「非相互的フェムト秒レーザー分極化強誘電性分域」技術を発明した。フェムト秒パルスレーザーを材料「ニオブ酸リチウム」の結晶体内部に合焦させ、レーザー移動の方向をコントロールすることで、結晶体内部に効果的な電界を形成し、3次元構造の直写と削除を実現している。中央テレビニュースが伝えた。

同新技術は従来のフェムト秒レーザー光の回折の極限を打破し、ニオブ酸リチウム3次元構造のレーザー刻印のサイズを従来の1ミクロン（髪の毛の50分の1に相当）から初めてナノメートル級の30ナノメートルにし、加工精度を大幅に上げた。

この重要な発明は将来的に、光電子チップ製造の新たな競争の場となる可能性がある。電気光学変調器、音響フィルター、不揮発性強誘電体メモリなどの重要光電子部品・半導体の製造に用いられる見込みで、5G・6G通信、光計算、人工知能などの分野で広い応用の見通しがある。（提供/人民網日本語版・編集/YF）